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La nueva frontera de la carga con tecnología GaN

La nuova frontiera della ricarica con la tecnologia GaN

La nueva frontera de la carga con tecnología GaN

En los últimos años, la industria tecnológica y el mercado han tenido que afrontar importantes desafíos para responder a la creciente demanda de dispositivos electrónicos y productos más eficientes y de alto rendimiento. En particular, en el mundo de los accesorios de carga, se han desarrollado soluciones más avanzadas que han revolucionado el panorama de las tecnologías energéticas y electrónicas, como la introducción de la tecnología GaN, nitruro de galio.

Conscientes de la importancia de ofrecer alto rendimiento y eficiencia en los productos del área de energía – y no solo – SBS ha desarrollado accesorios de carga GaN fabricados con semiconductores de nitruro de galio, en sustitución del silicio tradicional. Este material permite la creación de chips más compactos, gestionando al mismo tiempo niveles de potencia más altos y evitando el sobrecalentamiento.

“Con esta evolución, nuestros cargadores son más pequeños pero muy potentes”, explica Marco Visconti, Director de Marketing y Producto. “El cargador garantiza así un alto rendimiento de carga siendo ultra compacto” – concluye.

Gracias a sus excepcionales propiedades físicas y electrónicas, el nitruro de galio ha dado un paso más, abriendo un nuevo capítulo con GaN 2 y GaN 3, protagonistas de la expansión de la gama de productos de carga de alto rendimiento de SBS.

“Hemos desarrollado las nuevas estaciones de carga GaN 2 y GaN 3 para garantizar mayor eficiencia y eficacia al cargar varios dispositivos simultáneamente y de forma segura. El objetivo sigue siendo ofrecer una mejor experiencia de carga de los dispositivos electrónicos para nuestro target de consumidores” – explica Alessio Trisconi, Product Manager del área de energía de SBS.

Una mayor eficiencia energética, protección contra sobrecalentamientos y sobrecargas, así como compacidad, son elementos clave de las estaciones GaN 2 y GaN 3:
• La Power Station GaN 2 puede gestionar hasta 200W de potencia, permitiendo cargar simultáneamente hasta 4 dispositivos diferentes, incluidos smartphones, tablets y portátiles;
• La Power Station GaN 3 tiene la capacidad de cargar hasta 3 dispositivos al mismo tiempo y dos dispositivos – incluidos dos ordenadores – con una salida de 100W cada uno.

El desarrollo de estas nuevas líneas refleja el compromiso de SBS por ofrecer a consumidores cada vez más exigentes soluciones inteligentes. La innovación es el motor del presente y del futuro para el desarrollo de productos que cargan de forma más rápida, eficiente y segura.

La tecnología GaN ha demostrado ser una fuerza impulsora en la evolución de la industria tecnológica, respondiendo a las crecientes exigencias de eficiencia y rendimiento. En este contexto de innovación, SBS se ha consolidado como líder del sector, ofreciendo una gama completa de productos de vanguardia basados en este revolucionario semiconductor, que ha abierto el camino a soluciones de carga más rápidas, compactas y eficientes.