El nitruro de galio (GaN) es un semiconductor formado por la combinación de galio (Ga) con nitrógeno (N). Se caracteriza por su eficiencia, caracterizada por una menor pérdida de energía y resistencia al calor, lo que lo hace más apreciado que el silicio y más pequeño para el mismo rendimiento.

Por estas características, el GaN se considera un semiconductor alternativo posiblemente adecuado para una amplia gama de proyectos de alta tecnología, como radares, paneles solares fotovoltaicos y baterías de coches eléctricos.

Los cargadores GaN son los accesorios que más se benefician del nitruro de galio (GaN). Gracias al aumento de la potencia de salida, es posible fabricar cargadores de pared que incluso pueden utilizarse para recargar portátiles y MacBooks en menos tiempo.

Combinando esta calidad con el tamaño compacto de los cargadores GaN, podremos cargar nuestro portátil con el mismo cargador que usamos para el móvil, e incluso será posible alimentarlos al mismo tiempo.

Solo necesitaremos un cable USB-C compatible y listo. La menor pérdida de energía también garantiza una mayor vida útil del accesorio: el cargador GaN funcionará durante mucho tiempo sin problemas.